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    Transparent Power-Generating Windows Based on Solar-Thermal-Electric Conversion

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    Zhang Q, Huang A, Ai X, et al. Transparent Power-Generating Windows Based on Solar-Thermal-Electric Conversion. Advanced Energy Materials . 2021: 2101213.Integrating transparent solar-harvesting systems into windows can provide renewable on-site energy supply without altering building aesthetics or imposing further design constraints. Transparent photovoltaics have shown great potential, but the increased transparency comes at the expense of reduced power-conversion efficiency. Here, a new technology that overcomes this limitation by combining solar-thermal-electric conversion with a material's wavelength-selective absorption is presented. A wavelength-selective film consisting of Cs0.33WO3 and resin facilitates high visible-light transmittance (up to 88%) and outstanding ultraviolet and infrared absorbance, thereby converting absorbed light into heat without sacrificing transparency. A prototype that couples the film with thermoelectric power generation produces an extraordinary output voltage of approximate to 4 V within an area of 0.01 m(2) exposed to sunshine. Further optimization design and experimental verification demonstrate high conversion efficiency comparable to state-of-the-art transparent photovoltaics, enriching the library of on-site energy-saving and transparent power generation

    Influence of the substrate-induced strain and irradiation disorder on the Peierls transition in TTF-TCNQ microdomains

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    The influence of the combined effects of substrate-induced strain, finite size and electron irradiation-induced defects have been studied on individual micron-sized domains of the organic charge transfer compound tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane (TTF-TCNQ) by temperature-dependent conductivity and current-voltage measurements. The individual domains have been isolated by focused ion beam etching and electrically contacted by focused ion and electron beam induced deposition of metallic contacts. The temperature-dependent conductivity follows a variable range hopping behavior which shows a crossover of the exponent as the Peierls transition is approached. The low temperature behavior is analyzed within the segmented rod model of Fogler, Teber and Shklowskii, as originally developed for a charge-ordered quasi one-dimensional electron crystal. The results are compared with data obtained on as-grown and electron irradiated epitaxial TTF-TCNQ thin films of the two-domain type

    A Tunable Strain Sensor Using Nanogranular Metals

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    This paper introduces a new methodology for the fabrication of strain-sensor elements for MEMS and NEMS applications based on the tunneling effect in nano-granular metals. The strain-sensor elements are prepared by the maskless lithography technique of focused electron-beam-induced deposition (FEBID) employing the precursor trimethylmethylcyclopentadienyl platinum [MeCpPt(Me)3]. We use a cantilever-based deflection technique to determine the sensitivity (gauge factor) of the sensor element. We find that its sensitivity depends on the electrical conductivity and can be continuously tuned, either by the thickness of the deposit or by electron-beam irradiation leading to a distinct maximum in the sensitivity. This maximum finds a theoretical rationale in recent advances in the understanding of electronic charge transport in nano-granular metals

    Untersuchung von Size-Effekten thermischer Transportkoeffizienten von NanodrÀhten

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    In den letzten Jahren haben die ForschungsaktivitĂ€ten im Bereich Thermoelektrik stetig zugenommen. Das neu erweckte Interesse an der Thermoelektrik ist zurĂŒckzufĂŒhren auf neue nanostrukturierte Materialien, Quantenschicht-Strukturen und NanodrĂ€hte, welche eine wesentliche Steigerung der thermoelektrischen EffektivitĂ€t Z im Vergleich zum Massivmaterial versprechen. FĂŒr NanodrĂ€hte ist die grĂ¶ĂŸte Steigerung der thermoelektrischen EffektivitĂ€t zu erwarten. Zur BestĂ€tigung der Theorie bedarf es neuer Messmethoden zur Bestimmung des Seebeck-Koeffizienten S, der elektrischen LeitfĂ€higkeit σ und der WĂ€rmeleitfĂ€higkeit λ, um hieraus eine Steigerung der thermoelektrischen EffektivitĂ€t Z = (Sexp2)σ/λ experimentell zu bestĂ€tigen. Der Schwerpunkt der Doktorarbeit lag in der Untersuchung thermoelektrischer Eigenschaften von NanodrĂ€hten. Hierzu wurden neueMessmethoden zur Bestimmung der elektrischen und thermischen LeitfĂ€higkeit von NanodrĂ€hten entwickelt. Die elektrische und thermische LeitfĂ€higkeit von Pt-NanodrĂ€hten wurden mit dem in dieser Arbeit entwickelten λ-Chip gemessen. Die elektrische LeitfĂ€higkeit der Pt-NanodrĂ€hte ist im Vergleich zum Massivmaterial entsprechend der klassischen Size-Effekt-Theorie reduziert. Ebenso wurde eine Abnahme der WĂ€rmeleitfĂ€higkeit beobachtet. Die Ergebnisse stimmen mit den im Rahmen der klassischen Size-Effekt-Theorie zu erwartenden Resultaten gut ĂŒberein, jedoch bedarf die Reduzierung der Lorenz-Zahl noch einer theoretischen ErklĂ€rung. Im Weiteren wurde die elektrische LeitfĂ€higkeit von BixTe1-x und BixSb1-x-NanodrĂ€hten mit dem λ-Chip bestimmt. Hierzu wurden zunĂ€chst unterschiedliche Kontaktmaterialien getestet, um die Diffusion des Kontaktmaterials in den Nanodraht auszuschließen. Als bewĂ€hrtes Kontaktmaterial stellte sich ein Schichtsystem aus Titan und Gold heraus. Die Ti-Schicht wirkt hierbei als Diffusionsbarriere und Haftvermittler-Schicht. Die WĂ€rmeleitfĂ€higkeit der Bi-haltigen NanodrĂ€hte konnte mit dem λ-Chip nicht gemessen werden, da die UnterĂ€tzung der NanodrĂ€hte mittels reaktivem IonenĂ€tzen die NanodrĂ€hte angriff. Als Alternative können die NanodrĂ€hte auf dem λ-Chip mit einem fokusierten Ionenstrahl unterĂ€tzt werden. Der Aufwand hierzu ist jedoch relativ hoch und diese Alternative wurde deshalb nicht weiter verfolgt. Als weitere Alternative wurde der Z-Chip entwickelt. Hierbei werden die NanodrĂ€hte auf den fertigen Chip aufgebracht und mittels Elektronenstrahl-induzierter Deposition an den elektrischen Kontakten fixiert. Der Chip ermöglicht die Messung der elektrische LeitfĂ€higkeit in 4-Punkt-Anordnung, der WĂ€rmeleitfĂ€higkeit und des Seebeck-Koeffizienten an einem einzelnen Nanodraht. Somit ist die Bestimmung der thermoelektrischen EffektivitĂ€t an einem Nanodraht möglich. DesWeiteren wurden die theoretischen Grundlagen zur Bestimmung der WĂ€rmekapazitĂ€t an einzelnen NanodrĂ€hten mit dem Z-Chip prĂ€sentiert. Zum Zeitpunkt der DurchfĂŒhrung dieser Arbeit fehlte jedoch das notwendige Equipment zur AusfĂŒhrung der WĂ€rmekapazitĂ€tsmessung an einzelnen NanodrĂ€hten. Des Weiteren wurde die Cross-Plane Methode zur Bestimmung der WĂ€rmeleitfĂ€higkeit an eingebetteten NanodrĂ€hten entwickelt. Analog der Messmethode, welche fĂŒr die Einzeldrahtmessungen verwendet wird, handelt es sich hierbei um eine stationĂ€re „Joule-Heating“ Methode. Die Temperaturdifferenz wird aus der WiderstandsĂ€nderung einer auf die eingebetteten NanodrĂ€hte aufgebrachten Heizschicht bestimmt.Mit derMethode wurde die WĂ€rmeleitfĂ€higkeit von BixTe1-x-NanodrĂ€hten ermittelt. Die elektrische LeitfĂ€higkeit wurde von BixTe1-x-NanodrĂ€hten unterschiedlicher Zusammensetzung und Herstellungsparameter mit dem λ- und dem Z-Chip bestimmt. Die gemessenen NanodrĂ€hte zeigen sowohl intrinsisches wie extrinsisches Leitungsverhalten verbunden mit einer, im Vergleich zum Volumenmaterial, reduzierten TemperaturabhĂ€ngigkeit der elektrischen LeitfĂ€higkeit infolge von OberflĂ€chen- und Korngrenzenstreuung der LadungstrĂ€ger. Die elektrischen LeitfĂ€higkeitsmessungen stimmen mit Beobachtungen anderer Gruppen gut ĂŒberein. Die WĂ€rmeleitfĂ€higkeit konnte an einem einzelnen BixTe1-x-Nanodraht und an eingebetteten BixTe1-x-NanodrĂ€hten gemessen werden. Die WĂ€rmeleitfĂ€higkeit ist gegenĂŒber dem Massivmaterial reduziert. Die Ergebnisse sind in guter Übereinstimmung mit bisher publizierten Ergebnissen von Bismuttellurid-NanodrĂ€hten
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